魏志义;彭英楠;田文龙;朱江峰, 专利号:ZL201510260423.1,申请日: 2015.05.20,授权日: 2018.04.24,一种半导体可饱和吸收镜锁模的高功率Yb:YAG薄片激光器, 专利权人: 西安电子科技大学



Copyright © 2014-2024 中国科学院物理研究所光物理重点实验室L07组
地址: 北京市海淀区中关村南三街8号, 北京市603信箱136分箱, 邮编100190
电话: 86-10-82649337, 传真: 86-10-82649337, Email: lidh05@sina.com,Web: http://ultralaser.iphy.ac.cn